Βήματα στην κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Η παραγωγή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ( ICs ) απαιτεί μεγάλες ποσότητες ανθρώπινων και οικονομικών κεφαλαίων και εξελίσσεται συνεχώς , αλλά μερικά θεμελιώδη βήματα είναι εμφανή . Τα κυκλώματα είναι χτισμένο σε καθαρά γκοφρέτες πυριτίου , οπότε το κλειδί για IC παραγωγή είναι η αρχική κατασκευή των μεγάλων πλακών επί των οποίων μπορούν να κατασκευαστούν πολλαπλά ICs . Φωτολιθογραφία θα χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή εκατοντάδες ICs σε κάθε μπισκότου και στη συνέχεια αυτά τα ICs θα διαχωριστούν . Οδηγίες
Silicon Wafer Παραγωγή
Η 1

Παραγωγή καθαρού πυριτίου από την αυξανόμενη ένα μεγάλο κρύσταλλο πυριτίου . Ζεσταίνουμε ένα μεγάλο κάδο του πυριτίου σε υψηλή θερμοκρασία περίπου 1.400 βαθμούς Κελσίου μέσα σε κάψα , τότε σιγά-σιγά συντάξει ένα ενιαίο μεγάλο καθαρό κρύσταλλο , συνήθως διαμέτρου 200 mm από το κέντρο του περιστρεφόμενου κάδου . Cool αυτό το μεγάλο κυλινδρικό κρύσταλλο , τότε κόψτε προσεκτικά σε λεπτές γκοφρέτες πάχους λιγότερο από ένα χιλιοστό . Surface την γκοφρέτα επίπεδη στις ακριβείς ανοχές . Αντιμετωπίστε κάθε πλακιδίου με οξείδιο του πυριτίου, το οποίο δρα ως μονωτικό μέσο . 2

Ξεκινήστε το πρώτο βήμα φωτολιθογραφίας ρίχνοντας ένα υπεριώδες ( UV ) φως μέσω μιας μάσκας που ταιριάζει με το διάγραμμα κυκλώματος του κάθε στρώματος σε η γκοφρέτα . Καλύπτουν ολόκληρο το γκοφρέτα με μία προστατευτική επικάλυψη , που είναι επίσης ευαίσθητο στο υπεριώδες φως . Εκτελέστε αυτή τη διαδικασία σε ένα καθαρό δωμάτιο , όπου όλη τη σκόνη έχει αφαιρεθεί με καθαρότερο αέρα από εκείνη του ένα δωμάτιο νοσοκομείου .
Εικόνων 3

Φτιάξτε το πρώτο στρώμα του κυκλώματος ρίχνοντας το υπεριώδες φως μέσω της πρώτη μάσκα , τοποθετείται στην κορυφή του επικαλυμμένου τσιπ . Το σχέδιο της μάσκας επιτρέπει κάποιο φως να πέσει πάνω στο τσιπ , εξευτελιστικού μόνον στους τομείς που περιγράφονται από τη μάσκα . Αναπτύξτε το τσιπ , που αφαιρεί τις υποβαθμισμένες περιοχές επικάλυψη και αφήνει ένα μοτίβο πάνω στο τσιπ.
Η 4

Etch το τσιπ με τις χημικές ουσίες . Σε αυτή τη διαδικασία το μονωτικό στρώμα οξειδίου του πυριτίου απομακρύνεται όποτε το μοτίβο μάσκα ορισθεί, αφήνοντας εκτεθειμένα καθαρού πυριτίου σε ένα μοτίβο τύπου σχέδιο .
Η 5

Κατεργάζεται το εκτεθειμένο καθαρό στρώμα πυριτίου μέσω μιας διαδικασίας που ονομάζεται " ντόπινγκ " που προσθέτει λεπτών ποσότητες στοιχείων όπως φωσφόρο και βόριο , η οποία επιτρέπει το πυρίτιο για να χρησιμοποιηθεί σαν ένας παράγοντας μεταγωγής .
Η 6

Επαναλάβετε τα βήματα 2 έως 5 του παρόντος τμήματος όπως είναι απαραίτητο για να ολοκληρωθεί η διαδικασία του κυκλώματος στρωματοποίησης . Πρόσθετες στρώματα του οξειδίου του πυριτίου , διεξαγωγή και μονωτικό υλικό πρέπει να προστεθούν ανάλογα με τις ανάγκες .
Εικόνων Προσθέτοντας Σύρματα και Συσκευασία

7

Προσθήκη καλώδια σύνδεσης με το τσιπ . Καταθέσει ένα αγώγιμο μέταλλο όπως ο χαλκός ομοιόμορφα πάνω από το τσιπ .
Η 8

Βάλτε ένα στρώμα ευαίσθητης υν φωτοανθεκτικού πάνω από το τσιπ , που καλύπτει το μεταλλικό στρώμα . Στη συνέχεια, τοποθετήστε μια μάσκα με σχέδια μετά το επιθυμητό κύκλωμα σύρμα πάνω από το τσιπ και να ακτινοβολήσει το τσιπ με υπεριώδες φως . Αφαιρέστε τις περιοχές φωτοευαίσθητου υλικού που δεν προστατεύεται από την υπεριώδη από τη μάσκα .
Η 9

Αφαιρέστε το μέταλλο που δεν προστατεύονται από το φωτοαντιστάτη από άλλον ένα γύρο της χαρακτικής . Τα καλώδια είναι τα πλέον διαμορφώνεται . Πολλαπλά στρώματα καλώδια μπορούν να προστεθούν, εάν απαιτείται από την επανάληψη της διαδικασίας .
Η 10

Ελέγξτε τα επιμέρους τσιπ από την γκοφρέτα , στη συνέχεια, διαχωρίστε τις με ακρίβεια πριόνι . Προσθέστε ένα προστατευτικό περίβλημα σε κάθε τσιπ , και δοκιμάστε ξανά κάθε τσιπ για υψηλή ποιότητα .
Η
εικόνων